鋰電保護芯片功能介紹

1、鋰電池保護芯片正常狀態(tài)
當所有電池電壓都在過充檢測電壓（Voc）和過放檢測電壓（Vod）之間，且VINI端電壓在過流檢測電壓（Vec1）和異常充電檢測電壓（Vabc）之間，則CW1055處于正常工作狀態(tài)。
2、鋰電保護芯片過充電狀態(tài)
鋰電保護芯片正常狀態(tài)下，任意一節(jié)電池電壓高于過充檢測電壓（Voc），且超過過充保護延遲時間（Toc），CO輸出高阻態(tài)關(guān)斷充電MOSFET，CW1055進入過充保護狀態(tài)。
在過充保護延時時間（Toc）內(nèi)，若所檢測的電池電壓低于過充檢測電壓（Voc）的時間超過過充重置延時（Treset），則過充累積的延遲時間（Toc）會被重置。否則，電池電壓的下降就會被認為是無關(guān)的干擾從而被屏蔽。
3、鋰電保護芯片過充電保護解除條件：
1.所有電池電壓處于過充解除電壓（Vocr）以下且超過過充解除延遲時間（Tocr）。
2.VM端電壓大于負載檢測電壓（Vload）且所有電池電壓都低于過充檢測電壓（Voc）。
4、鋰電保護芯片過放電狀態(tài)
正常狀態(tài)下（無負載），任意一節(jié)電池電壓低于過放保護電壓（Vod），且超過過放保護延遲時間（Tod），DO輸出低電平關(guān)斷放電 MOSFET，CW1055進入過放保護狀態(tài)。同時CO輸出高阻態(tài)，關(guān)斷充電 MOSFET。
5、過放電保護解除條件：
1.VM處于休眠檢測電壓（Vslp）和充電器檢測電壓（Vcharge）之間。所有電池電壓高于過放解除電壓（Vodr）且維持超過過放解除延時（Todr）。
2.VM電壓小于充電器檢測電壓（Vcharge）且所有電池都高于過放保護電壓（Vod）。
6、鋰電保護芯片休眠狀態(tài)
CW1055進入過放保護狀態(tài)，并超過休眠延時時間（Tslp），則CW1055會進入休眠狀態(tài)。DO保持低電平，CO保持高阻態(tài)，維持充放電MOSFET的狀態(tài)。休眠狀態(tài)解除條件：VM電壓處于Vslp電壓以下。
7、鋰電保護芯片過電流狀態(tài)
CW1055內(nèi)置三級過流檢測，過流1，過流2和短路保護。
保護機制：通過VINI端檢測主回路上檢流電阻的壓降，來判斷是否進行相應(yīng)的過流保護。
以過流1為例，放電電流跟隨外部負載變化，VINI端檢測到檢流電阻上的電壓大于過流保護閥值（Vec1）并維持超過過流保護延遲時間（Tec1），DO輸出低電平關(guān)斷放電MOSFET，同時CO輸出高阻關(guān)斷充電MOSFET。
CW1055進入過流保護狀態(tài)。
在過流保護狀態(tài)，ECR端子輸出VDD電壓驅(qū)動外部 MOSFET打開，將限流電阻連接至放電回路，電阻的阻值決定了放電恢復(fù)電流的大小。
過流解除條件：
VM端子的電壓低于VDD/2，過流保護解除。
8、鋰電保護芯片預(yù)充電
CW1055進入過放保護（Vod）后，CO、DO端子關(guān)閉，充放電MOSFET關(guān)閉。電池充電時，PRE端子驅(qū)動外置MOSFET與VDD相接形成一個小電流的充電回路。一旦所有電池電壓超過過放保護電壓（Vod）則進入正常充電狀態(tài)，即CO=VDD、PRE=高阻態(tài)。

9、鋰電保護芯片異常電池檢測
在預(yù)充電狀態(tài)，任意一節(jié)電池低于異常電池檢測電壓（Vbad）以下時，計時器開始工作，充電三分鐘后，若電池電壓仍低于異常電池檢測電壓（Vbad），CW1055認為該電池已損壞，PRE端子關(guān)閉預(yù)充電MOSFET，終止充電。均衡功能
電池容量均衡功能用來均衡電池組中各節(jié)電池容量。
在CW1055系列產(chǎn)品中，若某一節(jié)電池電壓高于平衡啟動電壓（Vbal），而其他電池電壓低于平衡啟動電壓（Vbal）時，均衡開啟，外置放電回路導(dǎo)通。當開啟放電回路的電池電壓降至平衡遲滯電壓（Vbalhys）
以下時，或者此節(jié)電池電壓達到過充檢測電壓（Voc），均衡關(guān)閉。
CW1055可以最多同時開啟四路均衡。所有電池都高于平衡啟動電壓（Vbal）時，均衡不會開啟。通過設(shè)置，CW1055可以選擇過充保護后均衡繼續(xù)工作。即，電池過充保護后，電池外置均衡放電回路仍然繼續(xù)工作，當所有電池電壓均低于過充解除電壓（Vocr）時，CW1055打開CO端MOSFET，電池繼續(xù)充電。如此循環(huán)直至所有電池電壓都在平衡啟動電壓（Vbal）之上。
CW1055可選是否采用分時均衡。
分時均衡，即當均衡啟動時，每個通道的均衡依次開啟，單通道的開啟時間8ms。若兩個電池同時均衡時，每個通道各依次工作8ms。即使單通道開啟瞬間電池電壓低于均衡回復(fù)值，也需要做完8ms的放電電流后再關(guān)閉。
分時均衡可以使均衡電路熱耗散設(shè)計的利用率最大化，即增加平均均衡電流。
電池節(jié)數(shù)選擇
SEL1、SEL2是電池串聯(lián)數(shù)選擇端子，可以通過它們來選擇電池串聯(lián)數(shù)量，如下表：

當CW1055的VDD電壓小于0V充電開始電壓（Vov），連接充電器且充電器輸出電壓高于PRE 端 M OSFET開啟閥值時，預(yù)充電MOSFET開啟，0V電池開始充電。
10、鋰電保護芯片延遲時間設(shè)置
延遲時間是指CW1055從檢測到電壓達到設(shè)定的保護閥值至CW1055驅(qū)動CO/DO端輸出高/低電平的時間。
CW1055的過充、過放、過流1和過流2保護都可以通過外部電容來設(shè)置延遲時間。
CW1055通過內(nèi)置電流源給外部電容充電，一旦電容電壓達到設(shè)定的電壓閥值就觸發(fā)保護動作。
不同端口輸出電流如下：
CCT=0.2uA；CDT=2uA；CIT=0.2uA延遲時間T=1.6V·/I（s）以過充電保護為例，CCT端連接0.1uF的電容，延遲時間T=（1.6*0.1u/0.2uA）s，即0.8s。
其他延遲時間計算與過充保護相同。
11、鋰電保護芯片的溫度保護
NTC電阻的阻值會隨著溫度的變化而變化，若RCOT、RDOT端檢測到的電壓達到內(nèi)部比較閥值，且維持Tcot/Tdot時間，充電過溫保護和放電過溫保護觸發(fā)。
充電過溫保護后，充電MOSFET關(guān)斷，但放電MOSFET打開；放電過溫保護后，充放電MOSFET同時關(guān)斷。

過溫閥值設(shè)置步驟
1.選擇NTC電阻；
2.確定充電過溫保護閥值，如：50℃；
3.根據(jù)NTC電阻的曲線圖，找到50℃對應(yīng)的電阻值，如35kQ；
4.使用相同阻值的正常電阻連接至RCOT引腳；
5.放電過溫保護設(shè)置使用相同的方法，但電阻需連接至RDOT引腳；
6.詳細電路請參考圖4，通過選擇電阻來設(shè)定合適的過溫保護溫度CW1055使用一個NTC來達到不同的充電過溫和放電過溫閥值設(shè)定。但此電路必須應(yīng)用于充放電異口的應(yīng)用設(shè)計。如果充放電同口，充電過溫和放電過溫只能使用一個溫度閥值。
CW1055可選低溫保護。
低溫保護只針對充電，在RCOT端進行設(shè)置，設(shè)置方式與過溫保護一致。
若選擇低溫保護，充電過溫和放電過溫只能使用一個溫度閥值。